IGBT MBM200HT12

Описание IGBT MBM200HT12

MBM200HT12 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные системы управления.

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа на радиатор. Внутри модуля могут быть интегрированы дополнительные элементы, такие как обратные диоды, обеспечивающие защиту от перенапряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | ~500 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,12 °C/Вт |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~300 нс |
| Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В |
| Тип корпуса | Изолированный модуль (обычно TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и прямые замены:

• IXYS IXGH200N120B3
• Infineon FF200R12KE3
• Mitsubishi CM200DY-12NF
• Fuji Electric 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON SKM200GB12T4

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• MBM200HT12A (модифицированная версия)
• MBM200HT12D (с улучшенными динамическими характеристиками)
• MBM150HT12 (на меньший ток, 150 А)
• MBM300HT12 (на больший ток, 300 А, требует проверки посадочного места)

Примечания по замене

1. Распиновка – перед заменой необходимо удостовериться в совпадении цоколевки.
2. Охлаждение – модули с большим током требуют эффективного теплоотвода.
3. Управляющая схема – некоторые аналоги могут иметь различия в напряжении затвора.

Если вам нужна более точная информация по конкретному аналогу, уточните модель или производителя.