IGBT MCD132-16IO1B

Описание IGBT MCD132-16IO1B

IGBT MCD132-16IO1B – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, тяговых приводов и других силовых электронных устройств. Модуль оснащен встроенным диодом обратного хода (антипараллельным диодом), что позволяет эффективно работать в схемах с индуктивной нагрузкой.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение | 1600 В | | Ном. ток коллектора | 132 А при 25°C | | Макс. импульсный ток | 264 А | | Напряжение насыщения | 2.5 В (при номинальном токе) | | Рассеиваемая мощность | до 600 Вт (с учетом охлаждения) | | Темп. хранения | -40°C ... +125°C | | Темп. перехода | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (с базовой платой) | | Вес | ~250 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MCD132-16IO1B (полное название от производителя)
• MCD132-16IO1 (возможный вариант без маркировки "B")

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: FF1400R16IP4 (частичная замена, требуется проверка параметров)
• Mitsubishi: CM1400DY-34H (аналог с близкими характеристиками)
• SEMIKRON: SKM145GB176D (альтернатива с похожими параметрами)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнить электрические характеристики и конструктивное исполнение (крепление, охлаждение). Для точного подбора обратитесь к даташиту производителя или консультанту.

Если нужны дополнительные параметры (временные характеристики, схема включения), уточните – предоставлю подробности.