IGBT MDD95-16N1

Описание IGBT модуля MDD95-16N1

MDD95-16N1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его пригодным для промышленного использования.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C): 95 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 190 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный
• Схема включения: полумост (Half-Bridge)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: MDD95-16N1
• Аналоги и совместимые модели:
  • Infineon: FF150R16KE3
  • Mitsubishi: CM150DY-24H
  • Fuji Electric: 2MBI150U4A-060
  • Semikron: SKM150GB12T4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните запрос!