IGBT MG100G1AL1

Описание IGBT MG100G1AL1

IGBT MG100G1AL1 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (FRD)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (изолированный) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG100G1AL1 (оригинальный номер производителя)
• MG100G1AL1-TR (версия в ленте для автоматического монтажа)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: IKW100N65ET7
• Fuji Electric: 2MBI100XAA-120-50
• Mitsubishi: CM100DY-24A
• STMicroelectronics: STGW100H65DFB

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.