IGBT MG100G1AL2

Описание IGBT модуля MG100G1AL2

MG100G1AL2 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей тепловой стабильностью. Корпус обеспечивает изоляцию между элементами и теплоотвод.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_max): 400 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при 50 А)
• Время включения (t_on): ~40 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Диапазон температур: от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт

Встроенный диод (FWD):

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Ток диода (I_F): 100 А

Корпус:

• Тип: 2-в-1 (Dual IGBT + Diode)
• Изоляция: ~2500 В (между основанием и выводами)
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Fuji Electric:
   • 2MBI100N-060 (аналог с похожими параметрами)
2. Infineon:
   • FF100R06KE3 (600 В, 100 А, аналогичная конфигурация)
3. Mitsubishi:
   • CM100DY-24H (600 В, 100 А)
4. SEMIKRON:
   • SKM100GB063D

Совместимые модели в линейке Mitsubishi (если это оригинальный модуль):

• MG100J1AL2 (более мощная версия)
• MG75G1AL2 (75 А, 600 В)

Примечания

• Для точной замены рекомендуется проверять datasheet, так как параметры могут незначительно отличаться.
• При установке важно соблюдать тепловой режим и использовать термопасту.

Если у вас есть конкретное применение или нужна дополнительная информация, уточните – помогу подобрать оптимальный аналог!