IGBT MG100G2YS1

Описание IGBT модуля MG100G2YS1

MG100G2YS1 – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (Dual IGBT + Diode) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +125°C |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |
| Монтаж | Винтовой или зажимной |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: FF100R12YT3
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• MG75G2YS1 (75 А, 1200 В)
• MG150G2YS1 (150 А, 1200 В)
• MG200G2YS1 (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Тяговые системы (электромобили, поезда)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.