IGBT MG100H2CK1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG100H2CK1
Описание IGBT MG100H2CK1
MG100H2CK1 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой надежностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.
Основные применения:
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные приводы
- Сварочное оборудование
- Электроприводы
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|---------------------------|--------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 100 А |
| Ток импульсный (ICP) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 80 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | 2-выводной модуль (TO-247 или аналогичный) |
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможны аналоги от Infineon, Fuji, SEMIKRON) |
Парт-номера и аналоги:
Прямые аналоги (совместимые модели):
- Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
- SEMIKRON: SKM100GB12T4, SKM100GB12V
- Fuji Electric: 2MBI100VA-120-50
- Powerex (Mitsubishi): CM100DY-12H
Похожие модели (возможна замена с проверкой распиновки):
- IXYS: IXGH100N120B3
- Toshiba: MG100H2CL1 (более новая версия)
- Hitachi: MBN100H12
Примечания:
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики.
- Для высокой надежности рекомендуется использовать оригинальные модули или сертифицированные аналоги.
- Учитывайте условия охлаждения, так как IGBT чувствительны к перегреву.
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!