IGBT MG100H2CL1

Описание IGBT MG100H2CL1

IGBT MG100H2CL1 — это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других мощных электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип | IGBT модуль (NPT, Trench Gate) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможны аналоги других брендов) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера Mitsubishi Electric:

• MG100H2CL1 (базовая модель)
• MG100H2YL1 (аналог с улучшенными характеристиками)
• CM100H2CL1 (устаревшая версия)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100VC-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры, особенно V_CES и I_C.