IGBT MG100H2ZS1

Описание IGBT MG100H2ZS1

MG100H2ZS1 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2-уровневый) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А | | Ток импульсный (I_CP) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В | | Время переключения (t_on/t_off) | нс (уточняется в даташите) | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40 °C … +150 °C | | Корпус | Изолированный (например, 2 в 1) | | Вес | ~200 г (зависит от корпуса) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM100DY-24H, CM100E3U-12H
• Fuji: 2MBI100X-120
• Infineon: FF100R12KS4
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• MG75H2YS1 (75 А, 1200 В)
• MG150H2YS1 (150 А, 1200 В)
• MG100H2YS1 (аналог с другим корпусом)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Для точных данных рекомендуется проверять даташит производителя (Mitsubishi или другого бренда), так как параметры могут отличаться в зависимости от модификации и партии.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики потерь, схемы подключения), уточните!