IGBT MG100J2YS1

Описание и технические характеристики IGBT MG100J2YS1

Описание:
IGBT MG100J2YS1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных системах управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | модуль (изолированный) | | Схема подключения | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:
  • CM100DY-24S (1200V, 100A, Half-Bridge)
  • CM100DY-28S (1400V, 100A, Half-Bridge)
• Infineon:
  • FF100R12KS4 (1200V, 100A, Half-Bridge)
  • FF100R12KT4 (1200V, 100A, 3-фазный)
• Fuji Electric:
  • 2MBI100U2A-120 (1200V, 100A, Half-Bridge)
• Semikron:
  • SKM100GB12T4 (1200V, 100A, Half-Bridge)

Совместимые модели в других линейках:

• MG75J2YS1 (75A, 1200V)
• MG150J2YS1 (150A, 1200V)
• MG200J2YS1 (200A, 1200V)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных электростанций
• Промышленные приводы
• Сварочные аппараты

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения, уточните запрос!