IGBT MG100J6ES1

Описание IGBT MG100J6ES1

IGBT MG100J6ES1 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль обладает высокой стойкостью к перегрузкам, низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 50 A) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Схема включения | Одиночный транзистор (1 в корпусе) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• MG100J6ES1 (оригинал от Mitsubishi или другого производителя)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A, но может использоваться в схемах с меньшими токами)
• HGTG20N60A4 (ON Semiconductor, 600V, 40A)
• IXGH100N60B3 (IXYS, 600V, 100A)

Применение

• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Индукционные нагреватели

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.