IGBT MG100J6ES11

Описание IGBT модуля MG100J6ES11

MG100J6ES11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для силовых электронных устройств, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) и обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную работу в жестких условиях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А | | Импульсный ток коллектора (I_CP) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 330 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0,2 мкс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 0,6 мкс (тип.) | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C…+150°C | | Тип корпуса | 6-контактный (стандартный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• CM100DY-24H (аналог по параметрам)
• CM100DY-24NF (альтернатива с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R06KE3 (600 В, 100 А)
• Fuji Electric: 6MBP100RA060
• SEMIKRON: SKM100GB063D

Совместимые модели (замена возможна после проверки схемы)

• Mitsubishi:
  • MG75J6ES11 (75 А)
  • MG50J6ES11 (50 А)
• Infineon:
  • IKW75N60T (600 В, 75 А, TO-247)
  • IKW100N60T (600 В, 100 А, TO-247)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль MG100J6ES11 подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования, но перед установкой рекомендуется проверить соответствие электрических и тепловых параметров.

Если вам нужна более точная информация по замене или datasheet, уточните требования вашей схемы.