IGBT MG100J6ES40

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG100J6ES40
Описание IGBT MG100J6ES40
MG100J6ES40 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.
Этот модуль сочетает высокое напряжение пробоя, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам. Он выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает удобство монтажа на радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |--------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) при 25°C | 100 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 400 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 200 нс (тип.) | | Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW75N60T
- Fuji Electric: 2MBI100V-060
- Mitsubishi: CM100DY-24H
- SEMIKRON: SKM100GB063D
Прямые замены (оригинальные и аналоги):
- MG100J6ES40 (оригинал)
- MG100J6ES40X (модификация с улучшенными параметрами)
- MG100J6ES50 (600 В, 120 А, аналог с повышенным током)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление двигателями
- Импульсные источники питания
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по току, напряжению и характеристикам встроенного диода.
Нужна дополнительная информация? Уточните детали!