IGBT MG100J7KS50

Описание IGBT MG100J7KS50

MG100J7KS50 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных силовых применений. Он сочетает высокое напряжение насыщения, низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективное теплоотведение, а внутренний диод обратного хода (FRD) способствует улучшенной стойкости к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип устройства | IGBT с FRD (Fast Recovery Diode) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 100 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 160 нс | | Корпус | TO-247 (3 контакта) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• MG100J7KS50L (модификация с улучшенными параметрами)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 500 В, 100 А)
• FGA100N50 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG100N50A4D (Microsemi)

Условно совместимые (требуется проверка характеристик):

• IXGH100N50B (IXYS)
• STGW100H50DF (STMicroelectronics)
• APT50GP60B (Microchip)

Примечания по замене

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить:

• Соответствие напряжения и тока.
• Параметры встроенного диода (если используется).
• Распиновку и тепловые характеристики.

Если требуется повышенная надежность, лучше выбирать оригинальный модуль MG100J7KS50 или его прямые аналоги от известных производителей (Infineon, Mitsubishi, Fuji Electric).

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать даташиты и консультации с поставщиками.