IGBT MG100M2YK1

IGBT MG100M2YK1
Артикул: 298739

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MG100M2YK1

Описание IGBT MG100M2YK1

MG100M2YK1 — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также встроенным диодом обратного хода (FWD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT с NPT-структурой (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Постоянный ток коллектора (IC) | 100 А |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (при 100 А) |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Встроенный диод | Да (FWD) |
| Корпус | модульный, изолированный (обычно TO-247 или подобный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от других производителей:

  • Infineon – FF100R12KT4, FF100R12KE3
  • Fuji Electric – 2MBI100U2A-120
  • Mitsubishi – CM100DY-24H
  • SEMIKRON – SKM100GB12T4

Совместимые замены (в зависимости от схемы):

  • MG100M2YL1 (более новая версия)
  • MG100M2YS1 (с улучшенными динамическими характеристиками)

Применение

  • Инверторы и частотные преобразователи
  • Электроприводы и системы управления двигателями
  • Сварочные аппараты
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Промышленные системы питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры схемы. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу или характеристикам переключения.

Товары из этой же категории