IGBT MG100Q2YS1

Описание IGBT MG100Q2YS1

IGBT MG100Q2YS1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для импульсных преобразователей, частотных приводов, сварочного оборудования и других мощных электронных устройств. Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост или одиночный) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 100 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 100 А) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Темп. перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | модуль с изолированным основанием | | Скорость переключения | высокая (наносекундный диапазон) | | Встроенный диод | быстрый обратный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12YT3, FF100R12KT3
• Mitsubishi: CM100DY-24H, CM100DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• MG75Q2YS1 (75 А, 1200 В)
• MG150Q2YS1 (150 А, 1200 В)
• MG100Q1YS1 (100 А, 600 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужна более точная информация (например, datasheet), уточните производителя (возможно, это Powerex, Mitsubishi или другой бренд).