IGBT MG100Q2YS40

Описание и технические характеристики IGBT MG100Q2YS40

Описание:
IGBT MG100Q2YS40 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую стойкость к перегрузкам.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT (NPT, Trench Gate) + диод
• Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 70 А
• Импульсный ток (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 500 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при 100 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Падение напряжения (V_F): 2,0 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, F4-100R12KS4
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100VA-120-50
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: MIXA100PA1200T

Похожие модели (альтернативы с близкими параметрами):

• MG75Q2YS40 (75 А, 1200 В)
• MG150Q2YS40 (150 А, 1200 В)
• IRG4PH50UD (50 А, 1200 В, TO-247)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Приводы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (например, тепловое сопротивление, схемы подключения), уточните запрос.