IGBT MG100Q2YS50A

Описание IGBT MG100Q2YS50A

IGBT MG100Q2YS50A – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, сварочном оборудовании, промышленных преобразователях частоты и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип прибора | IGBT с N-каналом + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения/эксплуатации | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS IXGH100N120B3
• Infineon IKW100N120T2
• Fuji Electric 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi CM100DY-24A

Совместимые модели (зависит от схемы):

• MG75Q2YS50A (75A, 1200V)
• MG50Q2YS50A (50A, 1200V)
• MG100Q2YS40A (100A, 600V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для возобновляемой энергетики
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если нужна дополнительная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.