IGBT MG100Q2YS51

Описание IGBT модуля MG100Q2YS51

MG100Q2YS51 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую термостабильность и надежную конструкцию с изолированным основанием (изоляция до 2500 В).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + Diode (NPT) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C @25°C) | 100 А | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 200 А (импульсный) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (ISO) | | Монтаж | Винтовое соединение |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM100DY-24S (аналог по параметрам)
• Infineon: FF100R12KS4
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120
• Semikron: SKM100GB12T4

Рекомендуемые замены (проверьте распиновку!):

• MG100Q2YS40 (старая версия)
• MG100Q2YS50 (близкий аналог)
• MG100Q2YS52 (модификация с улучшенными характеристиками)

Примечания

• Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как разные производители могут иметь отличия в корпусах.
• Для надежной работы рекомендуется использовать оригинальные охладители и термопасту.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!