IGBT MG100Q2YS9

Описание IGBT MG100Q2YS9

IGBT MG100Q2YS9 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективным теплоотводом благодаря конструкции с изолированной базой.

Подходит для применения в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Ток при 100°C | ~60 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура хранения/работы | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (например, TO-247 или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: FF100R12KT4, FF75R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24S
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Cross-reference (альтернативы):

• IXYS: IXGH100N120B3
• Toshiba: MG100Q2YS51 (модификация с улучшенными параметрами)

Примечания

1. Замена: При выборе аналога учитывайте ток, напряжение, корпус и наличие встроенного диода.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать радиатор с термопастой для эффективного отвода тепла.
3. Производитель: Уточните бренд оригинального модуля (возможно, это Mitsubishi или Toshiba).

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей), уточните – предоставлю подробности!