IGBT MG100Q2YS91

Описание IGBT MG100Q2YS91

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) MG100Q2YS91 – это мощный транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики:

• Тип прибора: IGBT модуль (N-канальный)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А
• Пиковый ток (I_CM): до 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300–400 Вт (зависит от охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0–2,5 В (при 100 А)
• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–400 нс
• Температурный диапазон: -40 °C до +150 °C
• Тип корпуса: модульный (изолированный, с теплоотводом)
• Количество ключей: 1 (одиночный IGBT + диод)

Парт-номера и аналоги:

Оригинальный номер:

• MG100Q2YS91

Совместимые аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12YT3, FF100R12KS4
• Mitsubishi: CM100DY-24H, CM100DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Аналоги с близкими параметрами:

• MG75Q2YS91 (75 А, 1200 В)
• MG150Q2YS91 (150 А, 1200 В)
• IRG4PH40UD (40 А, 1200 В, TO-247)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи
• Индукционные нагреватели
• Системы управления электродвигателями

Примечание:

При замене модуля необходимо учитывать не только электрические параметры, но и конструктивное исполнение (крепление, охлаждение, изоляцию). Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению или схемам подключения, уточните запрос.