IGBT MG10Q6ES51A

Описание IGBT MG10Q6ES51A

MG10Q6ES51A — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленного оборудования. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение (Vces) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (Ic) | 10 А (при 25°C) |
| Ток короткого замыкания (Isc) | 20 А (макс.) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50 Вт |
| Напряжение насыщения (Vce(sat))) | 1.8 В (тип.) при Ic=10 А |
| Время переключения (ton/toff) | ~50 нс / ~150 нс |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Температура перехода (Tj) | до 150°C |
| Корпус | изолированный, TO-247 (или аналог) |
| Защита | встроенный диод (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги (Mitsubishi Electric):

• MG10Q6ES51 (основная версия)
• MG10Q6ES51R (с улучшенными параметрами)
• MG10Q6ES51K (для высокочастотных применений)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW10N60T (600 В, 10 А)
• Fairchild/ON Semi: FGA10N60 (600 В, 10 А)
• STMicroelectronics: STGW10NC60KD (600 В, 10 А)
• Toshiba: GT10Q601 (600 В, 10 А)

Схожие модули (для замены в схемах):

• IRG4PC40UD (International Rectifier, 600 В, 11 А)
• HGTG10N60A4D (Fairchild, 600 В, 10 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам по Vce(sat), времени переключения и тепловым характеристикам.

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить!