IGBT MG150H1FL1

Описание IGBT модуля MG150H1FL1

MG150H1FL1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для мощных преобразовательных устройств. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и промышленных источниках питания.

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает хороший теплоотвод и упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с NPT-технологией | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность (P_tot) | 350 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 150 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Диод обратного тока (I_F)| 150 А | | Корпус | FL1 (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• MG150H1FL1 (оригинал от Mitsubishi)
• CM150H1FL1 (аналог от Powerex)
• FF150R12KE3 (Infineon)
• FZ150R12KE3 (Infineon, с улучшенными характеристиками)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• SKM150GB12T4 (Semikron)
• PM150CLA120 (Mitsubishi, другой корпус)
• 2MBI150N-120 (Fuji Electric)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Промышленные источники питания

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверить параметры и распиновку с оригиналом. Некоторые аналоги могут отличаться по термохарактеристикам или внутренней структуре.

Нужна дополнительная информация?