IGBT MG150H2YS1

Описание IGBT модуля MG150H2YS1

MG150H2YS1 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.21 °C/Вт |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Схема подключения | 2 в 1 (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Mitsubishi: CM150DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы):

• MG100H2YS1 (100 А, 1200 В)
• MG200H2YS1 (200 А, 1200 В)
• MG75H2YS1 (75 А, 1200 В)

Примечания

• Перед заменой проверьте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в корпусе и тепловых параметрах.
• Рекомендуется использовать оригинальный модуль в критичных системах.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или применение в схемах), уточните!