IGBT MG150J1JS51

Описание IGBT MG150J1JS51

IGBT MG150J1JS51 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразовательных систем. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Применяется в промышленных частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 300 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 150 А) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C | | Корпус | модуль (изолированный) | | Тип монтажа | винтовой |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:
  • CM150DY-24S
  • CM150DY-12S
• Infineon:
  • FF150R12RT4
  • FF150R12KE3
• Fuji Electric:
  • 2MBI150U2A-060
  • 2MBI150N-120
• SEMIKRON:
  • SKM150GB12T4
  • SKM150GB128D

Совместимые модели в схожих линейках:

• MG100J1JS51 (100 А, 1200 В)
• MG200J1JS51 (200 А, 1200 В)
• MG75J1JS51 (75 А, 1200 В)

Примечания

• Для замены важно учитывать не только электрические параметры, но и конструктивные особенности (крепление, охлаждение).
• Рекомендуется проверять datasheet перед установкой аналога.
• Производитель оригинального модуля – Mitsubishi Electric (серия J1).

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос.