IGBT MG150J2YS1

Описание IGBT MG150J2YS1

MG150J2YS1 — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с быстрым переключением, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой надежностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также встроенным быстрым диодом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с NPT-структурой + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤2,2 В (при I_C = 150 А) |
| Потребляемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) |
| Корпус | Модуль (изолированный) |
| Тип крепления | Винтовое (с термопастой) |

Встроенный диод (FWD)

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Максимальный ток (I_F) | 150 А |
| Прямое падение напряжения (V_F) | ≤2,0 В |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• Mitsubishi: CM150DY-24S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Похожие модели (с близкими параметрами):

• MG100J2YS1 (100 А, 1200 В)
• MG200J2YS1 (200 А, 1200 В)
• CM200DY-24S (Mitsubishi, 200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Силовые источники питания
• Тяговые электроприводы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.

Нужны дополнительные данные? Готов помочь!