IGBT MG150J2YS40

Описание IGBT MG150J2YS40

IGBT MG150J2YS40 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, источниках питания и сварочном оборудовании. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики, и оснащен встроенным быстрым диодом.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при 150 А)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C

Встроенный диод:

• Прямое напряжение диода (V_F): 1,8 В (при 150 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые характеристики:

• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт
• Крепление: модуль с изолированным основанием

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM150DY-24S (аналог)
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Infineon: FF150R12RT4
• Semikron: SKM150GB12T4

Совместимые модели:

• MG150J2YS50 (с повышенным током)
• MG100J2YS40 (меньший ток, но аналогичное напряжение)
• MG200J2YS40 (более мощная версия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны более точные данные по конкретному применению, уточните условия эксплуатации (частота переключений, охлаждение и т. д.).