IGBT MG150J2YS45

Описание IGBT MG150J2YS45

IGBT MG150J2YS45 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных электроприводах и системах управления двигателями.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_CM): 900 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,45 В (при I_C = 150 А, V_GE = 15 В)
• Время включения (t_on): 65 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM150DY-24S (1200V, 150A)
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (1200V, 150A)
• Infineon: FF150R12RT4
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Другие возможные замены:

• IXYS: IXGH150N120B3
• Toshiba: MG150J2YS50

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим схемам подключения, уточните запрос.