IGBT MG150Q2YS11

Описание IGBT модуля MG150Q2YS11

MG150Q2YS11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высокой мощностью, предназначенный для применения в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль сочетает в себе высокое напряжение, большой ток и низкие потери, что делает его пригодным для тяжелых условий эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 750 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C | | Корпус | 6-выводной, изолированный (SEMiX) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Другие версии и модификации:

• MG150Q2YS40 (аналог с другим корпусом)
• MG150Q2YS50 (улучшенные динамические характеристики)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Тяговые системы (электромобили, ж/д транспорт)

Если нужна дополнительная информация по замене или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали!