IGBT MG150Q2YS40EP

Описание IGBT MG150Q2YS40EP

Модель: MG150Q2YS40EP
Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие варианты, если модуль клонирован)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный свободно-колебательный диод — FWD)
Назначение: Применяется в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, частотных приводах, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и промышленных источниках питания.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0 В (типовое при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~50 нс / ~200 нс

Встроенный диод (FWD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.12 °C/Вт

Корпус:

• Стандартный модуль с изолированным основанием (обычно 6-контактный или подобный, например 62mm модуль).

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• MG150Q2YS40 (базовая модель без EP, возможны различия в корпусе)
• CM150DY-24S (аналог от других производителей)

Совместимые/альтернативные модели от других брендов:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-120
• Semikron: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH150N120B3

Кросс-совместимость:

Модуль может заменяться на аналоги с близкими параметрами (1200 В, 150 А), но требуется проверка распиновки и условий охлаждения.

Примечания:

1. EP в названии может указывать на специальную серию (например, улучшенную защиту от перенапряжений).
2. Для точного подбора аналога сверяйте даташиты, особенно по:
   • Распиновке
   • Тепловым характеристикам
   • Наличию встроенного драйвера (если требуется).

Если у вас есть дополнительные параметры или фото модуля, уточнение возможно!