IGBT MG150Q2YS50

IGBT MG150Q2YS50 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 150 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: 75 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,8 В (при I_C = 150 A)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Термическое сопротивление (R_thJC): 0,12 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (3-выводной)
• Температура хранения и работы: от -55°C до +150°C

Совместимые модели и парт-номера:

Аналоги и замены с близкими параметрами:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Mitsubishi: CM150DY-24S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Powerex (Mitsubishi): CM150E3U-12H

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим и тепловым параметрам. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу или характеристикам переключения.