IGBT MG150Q2YS9

Описание IGBT модуля MG150Q2YS9

MG150Q2YS9 – это высоковольтный IGBT-модуль с двойной транзисторной структурой (Dual IGBT), предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль широко применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Возобновляемой энергетике (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие динамические потери
• Встроенный диод обратного хода (FRD)
• Высокая надежность и термическая стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Dual IGBT (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 900 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Темп. хранения (T_stg) | -40°C ~ +125°C | | Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-060
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Парт-номера производителя (возможные варианты):

• MG150Q2YS9 (оригинальный номер)
• MG150Q2YS9-50 (модификация с улучшенным охлаждением)
• MG150Q2YS9-R (версия с повышенной надежностью)

Примечания по замене:

1. Перед заменой проверьте:
   • Распиновку и крепежные отверстия.
   • Рабочее напряжение и токовую нагрузку.
2. Рекомендуется:
   • Использовать термопасту для улучшения теплоотвода.
   • Проверять параметры встроенного диода при замене на аналог.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!