IGBT MG15Q6ES51

Описание IGBT MG15Q6ES51

IGBT MG15Q6ES51 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный антипараллельный диод (Flyback Diode) для защиты от обратного напряжения.
• Высокая стойкость к перегрузкам и температурным воздействиям.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 30 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.6 В (типовое) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот 10-50 кГц) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 75 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• MG15Q6ES51 (оригинал)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC50U (Infineon)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60C3D (ON Semiconductor)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRG4PH50UD (Infineon, 600 В, 14 А)
• FGH15N60 (Fairchild, 600 В, 15 А)
• IXGH15N60B (IXYS, 600 В, 15 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи.
• Импульсные блоки питания (SMPS).
• Системы управления двигателями (промышленные приводы, электромобили).
• Устройства плавного пуска (софт-стартеры).

Если требуется точный аналог, рекомендуется учитывать параметры схемы, особенно V_CE, I_C и корпус. Для критичных применений лучше использовать оригинальный MG15Q6ES51.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!