IGBT mg200h1al2

Описание IGBT MG200H1AL2

MG200H1AL2 – это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | NPT-IGBT (Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 200 А | | Ток импульсный (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–6 В | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Корпус | модульный (тип 2-pack или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналогичные IGBT-модули:

  • MG200H1AL1 (1200V, 200A, чуть другие параметры)
  • CM200DY-24A (1200V, 200A, Mitsubishi)
  • FF200R12KE3 (1200V, 200A, Infineon)
  • FZ200R12KE3 (1200V, 200A, Infineon)
  • SKM200GB12T4 (1200V, 200A, Semikron)

• Совместимые модели в схемах инверторов:

  • MG200H1AL2 часто используется в паре с диодными модулями MG200H1AL2D (если требуется встроенный диод).
  • Может заменяться на MG200H1AL2H (более новый вариант с улучшенными характеристиками).

Применение

• Силовые инверторы
• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна замена, учитывайте не только электрические параметры, но и конструкцию корпуса (крепление, теплоотвод).