IGBT MG200H1FL1A

Описание IGBT модуля MG200H1FL1A

MG200H1FL1A – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 200 А | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 400 А (тип.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | 0.3 мкс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 1.2 мкс (тип.) | | Встроенный диод | Да (FRD – Fast Recovery Diode) | | Макс. рабочая температура | 150°C | | Корпус | 1-модуль (изолированный) | | Тип монтажа | Винтовые клеммы |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• FZ200R12KE3 (Infineon)
• CM200DY-12NF (Mitsubishi)
• 2MBI200N-120 (Fuji Electric)

Похожие модели (возможна замена с проверкой параметров):

• MG200H1FL1 (устаревшая версия)
• MG200H1FL2A (аналог с улучшенными характеристиками)
• FF200R12KT4 (Infineon, с повышенным током)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная совместимость, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем.