IGBT MG200J2YS11

Описание IGBT MG200J2YS11

MG200J2YS11 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных высоковольтных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный обратный диод для защиты схемы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Производитель | Toshiba (ранее выпускался также под брендами Mitsubishi, Fuji) | | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | 6-контактный, модульный (изолированное основание) |

Встроенный диод (FWD):

• Макс. напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (Toshiba/Fuji/Mitsubishi):

• MG200J2YS51 (аналог с улучшенными параметрами)
• CM200DY-12NF (Mitsubishi)
• 2MBI200N-120 (Fuji)

Альтернативные модели от других производителей:

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• PM200DSA120 (Powerex)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Для правильного монтажа требуется изолирующая термопаста и хороший теплоотвод.
• Модуль чувствителен к статическому электричеству – используйте антистатические меры при установке.

Если нужна более точная информация по заменам, уточните сферу применения (например, для инверторов или сварочных аппаратов).