IGBT MG200M1FK1

Описание IGBT MG200M1FK1

MG200M1FK1 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений в силовой электронике. Этот модуль обычно используется в:

• Инверторах (для двигателей, солнечных панелей, промышленного оборудования)
• Импульсных источниках питания
• Сварочных аппаратах
• Тяговых преобразователях (электромобили, железнодорожный транспорт)

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | до 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Корпус | модуль (изолированный основанием) | | Тип | NPT (Non-Punch Through) или Trench Gate (уточняется по даташиту) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

1. Infineon:
   • FF200R12KE3
   • FZ200R12KE3
2. Mitsubishi:
   • CM200DY-12NF
   • CM200DU-12NF
3. Fuji Electric:
   • 2MBI200U2A-120
4. SEMIKRON:
   • SKM200GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• MG200M1FK1 (оригинал, возможно, Toshiba/Mitsubishi)
• MG200Q1US41 (аналог от Toshiba)
• CM200DY-24NFH (Mitsubishi, 1200V/200A)

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташит и сравнивать параметры, особенно:

• V_CES (напряжение)
• I_C (ток)
• Корпус и расположение выводов
• Термическое сопротивление

Если вам нужен конкретный аналог для замены, уточните схему применения и производителя оригинального модуля.