IGBT MG200Q1US11

Описание IGBT модуля MG200Q1US11

MG200Q1US11 – это высоковольтный IGBT-модуль с номинальным током 200 А и напряжением 1100 В, разработанный для мощных преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, встроенный температурный датчик (NTC) и диод обратного хода (FRD). Корпус обеспечивает хорошие тепловые характеристики и устойчивость к механическим нагрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1100 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | Стандартный модуль (изолированный) | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH, CM200DU-12NFH
• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-110
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модели в схожих сериях:

• MG100Q1US11 (100 А, 1100 В)
• MG300Q1US11 (300 А, 1100 В)
• MG200Q1US41 (аналог с улучшенными характеристиками)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сервосистемы
• Сварочные инверторы

Модуль MG200Q1US11 подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования. Перед установкой проверяйте соответствие электрических и тепловых параметров.

Если требуется точный аналог, рекомендуется уточнять datasheet производителя.