IGBT MG200Q1US2

Описание IGBT MG200Q1US2

MG200Q1US2 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокочастотных преобразований энергии. Используется в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможны другие аналоги) |
| Тип | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 400 А |
| Мощность (P_TOT) | до 500 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA200N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH20N60C2D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (похожие параметры):

• MG200Q2YS40 (Mitsubishi, 600V, 200A)
• CM200DY-24NF (Powerex, 1200V, 200A)
• SKM200GB066D (Semikron, 600V, 200A)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и промышленные источники питания
• Электроприводы и системы управления двигателями

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно напряжение V_CES и ток I_C. Для улучшенного теплоотвода рекомендуется использовать термопасту и радиаторы.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или схема включения), уточните запрос.