IGBT MG200Q2YS1

Описание IGBT модуля MG200Q2YS1

MG200Q2YS1 — это высоковольтный IGBT-модуль с низкими потерями проводимости и переключения, предназначенный для мощных преобразователей энергии. Используется в инверторах, частотных приводах, сварочных аппаратах и промышленном оборудовании.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с антипаралельным диодом | | Макс. напряжение | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 200 А | | Импульсный ток (ICM) | 400 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) | | Мощность рассеивания (Pd) | До 600 Вт (зависит от охлаждения) | | Температура работы | -40°C до +150°C (корпус) | | Корпус | Стандартный (изолированный) | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Вес | ~200 г (зависит от комплекта) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM200DY-24S (близкий по параметрам)
• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji: 2MBI200U2A-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Похожие модели от Toshiba:

• MG200Q2YS40 (более новая версия)
• MG200Q2YS50 (аналог с улучшенными характеристиками)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять распиновку и охлаждающие характеристики.