IGBT MG200Q2YS50

Описание IGBT модуля MG200Q2YS50

MG200Q2YS50 – это высоковольтный IGBT-модуль с номинальным током 200 А и напряжением 1200 В, разработанный для мощных импульсных и инверторных приложений. Модуль использует передовую технологию NPT (Non-Punch Through) IGBT, обеспечивающую низкие потери проводимости и переключения. Встроенный диод (FWD) позволяет использовать его в инверторных схемах, мостовых преобразователях и частотных приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + Диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~45 нс | | Время выключения (t_off) | ~250 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | ≤ 150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ≤ 0,15 °C/Вт | | Макс. температура перехода (T_j) | 150°C | | Корпус | Стандартный (изолированный) | | Вес | ~150 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH, CM200DY-24NFH (по характеристикам)
• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• MG200Q2YS40 (1000 В версия)
• MG200Q2YS60 (1400 В версия)
• MG200Q2YS51 (аналогичный ревизионный вариант)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Системы возобновляемой энергетики (инверторы солнечных станций)

Если вам нужны точные данные для конкретного производителя (например, Mitsubishi или Infineon), уточните модель, так как параметры могут незначительно отличаться.