IGBT MG200Q2YS91

Описание IGBT MG200Q2YS91

MG200Q2YS91 — это высоковольтный IGBT-транзистор с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и промышленном оборудовании.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Высокая переключательная скорость
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Надежная конструкция с изолированным корпусом

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 100 А |
| Импульсный ток (ICM) | 400 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Мощность рассеяния (Ptot) | 600 Вт |
| Время включения (ton) | 60 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 150 нс (тип.) |
| Корпус | TO-3P (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Встроенный диод (FRD):

• Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Прямой ток (IF): 200 А
• Время восстановления (trr): 100 нс

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые корпуса и серии:

• TO-3P (изолированные):
  • MG100Q2YS91 (100 А)
  • MG300Q2YS91 (300 А)
• Аналоги в других корпусах:
  • IHW20N120R5 (TO-247, 1200 В, 40 А)
  • IXGH32N120B3 (TO-264, 1200 В, 32 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Установки возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!