IGBT MG25J2YS1

Описание IGBT MG25J2YS1

MG25J2YS1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочных аппаратов и других силовых электронных устройств.

Корпус модуля обеспечивает хорошее теплоотведение и электрическую изоляцию между компонентами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (свободно-колеблющий) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.5 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW25N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N60
• STMicroelectronics: STGW25NC60WD
• Toshiba: GT25J601

Совместимые модели в схожих линейках:

• MG20J2YS1 (20 А, 600 В)
• MG30J2YS1 (30 А, 600 В)
• MG25N2YS1 (25 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверить характеристики с даташитом оригинального производителя (например, Toshiba или Mitsubishi, если это их продукт).