IGBT mg25n2ys1

Описание IGBT MG25N2YS1

MG25N2YS1 — это изолированный затвором биполярный транзистор (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Этот IGBT обладает низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для промышленного и бытового применения.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (пиковый, импульсный)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 125 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Время включения (t_on): 50 нс (типовое)
• Время выключения (t_off): 150 нс (типовое)
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 1,25 °C/Вт
• Температурный диапазон: -40°C…+150°C
• Корпус: TO-247

Диод обратного хода (встроенный):

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600V, 40A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 40A)
• STGW25NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 25A)
• IXGH25N60B3D1 (IXYS, 600V, 25A)

Похожие модели (с другими параметрами):

• MG25N2YS2 (более новая версия)
• MG25N2YS3 (с улучшенными характеристиками)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных панелей
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны специфические данные по замене или параметрам, уточните условия эксплуатации (например, частота переключения, нагрузка).