IGBT MG25Q1BS11

Описание IGBT MG25Q1BS11

IGBT MG25Q1BS11 – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Mitsubishi Electric |
| Тип | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 25 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• MG25Q1BS12 (с небольшими отличиями в параметрах)
• MG25Q1BS11R (возможна другая маркировка)

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGH25N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)

Совместимые модули (если используется в составе сборок):

• CM50DY-12H (Mitsubishi, 50A/600V)
• SKM50GB12T4 (Semikron)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C и динамические характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или корпусные аналоги), уточните!