IGBT mg25q2ys9

Описание IGBT модуля MG25Q2YS9

MG25Q2YS9 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, хорошей термостабильностью и применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах с высокой коммутационной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 50 А | | Ток диода (I_F) | 25 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~30 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.5 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | Стандартный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• Fuji Electric: 2MBI25N-120
• Mitsubishi: CM25DY-12S
• Semikron: SKM25GB12V
• Infineon: FF25R12YT3

Близкие по характеристикам (замена возможна с проверкой параметров):

• STMicroelectronics: STGW25H120DF2
• Toshiba: MG25Q2YS40 (аналог с улучшенными характеристиками)

Применение

Модуль MG25Q2YS9 используется в:

• Частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечных инверторах

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверить datasheet и электрические параметры перед заменой.