IGBT MG25Q6ES1

Описание IGBT модуля MG25Q6ES1

MG25Q6ES1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 25 А |
| Ток коллектора при 100°C (I_C @ 100°C) | 12,5 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Встроенный диод | Да (быстрый восстановительный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• STGW25NC60WD (STMicroelectronics)

Близкие по характеристикам (с проверкой распиновки и параметров):

• IXGH25N60B (IXYS)
• APT25GR60J (Microchip Technology)
• NGTB25N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и распиновку, так как некоторые аналоги могут отличаться по характеристикам встроенного диода или тепловым параметрам.

Нужна дополнительная информация по замене или схемам применения?