IGBT mg25q6es51a

Описание IGBT MG25Q6ES51A

MG25Q6ES51A – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Этот модуль сочетает высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и высокую температурную стабильность, что делает его пригодным для применения в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Корпус модуля обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию между ключами и радиатором.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Макс. напряжение VCES | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 25 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | 15 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 50 А | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) @ 25 А | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналоги):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200 В, но часто используется в схемах с запасом по напряжению)
• HGTG20N60A4D (Infineon, 600 В, 40 А)
• STGW25H60DF (STMicroelectronics, 600 В, 25 А)

Совместимые модели (похожие параметры):

• MG25Q6ES40 (600 В, 25 А, меньшие потери)
• MG30Q6ES51 (600 В, 30 А, более мощный аналог)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна более точная замена, укажите конкретное устройство, где используется этот IGBT – помогу подобрать оптимальный вариант.