IGBT MG300Q1UNITED

Описание IGBT MG300Q1UNITED

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль MG300Q1UNITED предназначен для применения в высоковольтных и сильноточных электронных схемах, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции

Этот модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии), обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 300 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ≤ 0,12 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG300Q1US51 (альтернативная версия)
• CM300DY-24A (от Mitsubishi)
• FF300R12KE3 (от Infineon)
• FZ3600R12KE3 (более мощный аналог)

Совместимые модули в схемах:

• MG200Q1UNITED (меньший ток, та же серия)
• MG400Q1UNITED (больший ток)
• SKM300GB12T4 (Semikron)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и параметры управления затвором, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если требуется точный аналог, лучше ориентироваться на V_CES, I_C и тепловые параметры.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!