IGBT MG300Q2YS45

Описание IGBT MG300Q2YS45

MG300Q2YS45 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Отличается высокой надежностью, низкими потерями при переключении и эффективным теплоотведением благодаря продвинутой конструкции корпуса.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 300 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): до 600 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 1000 Вт (с теплоотводом)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 300 А)
• Время включения (t_on): 100 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, с изолированным основанием

Диодные характеристики (встроенный обратный диод):

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В (при I_F = 300 А)
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: FF300R12ME4
• Mitsubishi Electric: CM300DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120
• Semikron: SKM300GB12T4

Похожие модели (с близкими параметрами):

• IXYS IXGN300N120
• Toshiba MG300Q2YS50 (1200 В, 300 А, с улучшенным охлаждением)
• Hitachi HGTG30N120

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Модуль требует качественного охлаждения и правильного монтажа для долговечной работы.

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные зависимости токов от температуры и т. д.), уточните запрос.